先进功率电子器件
01 / PRODUCT OVERVIEW
产品定义
8英寸金刚石异质外延晶圆平台，是指通过MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）技术，在非金刚石基底材料表面进行金刚石异质外延生长，形成大尺寸金刚石晶圆的材料研发平台。
"异质外延"是指金刚石外延层生长在与其晶体结构不同的基底材料之上（区别于金刚石同质外延——即在金刚石籽晶上继续生长金刚石），需要通过成核层/过渡层设计来实现金刚石与基底材料之间的晶格适配。该技术路线的平台价值在于：有望突破金刚石籽晶尺寸对晶圆大尺寸化的限制，为金刚石材料进入大尺寸半导体产业链提供可能路径。
目前该平台聚焦于8英寸尺寸的研发验证，"平台"一词强调其技术能力的延展性，而非单一定型产品。
01
MPCVD生长
02 / SPECIFICATIONS
尺寸能力
| 阶段 | 尺寸 | 说明 |
|---|---|---|
| 样品 / 研发阶段 | 8英寸（200mm） | 已完成该尺寸异质外延金刚石晶圆的研发级制备，尚未进入工程验证或量产阶段 |
03 / DETAIL
基底材料与外延能力
| 基底材料 | 英文 | 说明 |
|---|---|---|
| 氮化镓 | GaN | 支持金刚石异质外延生长 |
| 蓝宝石 | Sapphire（Al₂O₃） | 支持金刚石异质外延生长 |
| 碳化硅 | SiC | 支持金刚石异质外延生长 |
04 / TECHNICAL HIGHLIGHTS
晶圆参数
8英寸（200mm）
Wafer Size
氮化镓、蓝宝石、碳化硅
基底材料
可根据需求提供
外延层厚度
可根据需求提供
厚度均匀性 / TTV
| 项目 | 数值 | 说明 |
|---|---|---|
| Wafer Size | 8英寸（200mm） | 当前样品/研发阶段尺寸 |
| 基底材料 | 氮化镓、蓝宝石、碳化硅 | 三种基底均支持金刚石异质外延生长 |
| 外延层厚度 | 可根据需求提供 | 厚度随应用与工艺路线差异较大，行业报道范围约数十nm–300μm量级，非公司固定规格 |
| 厚度均匀性 / TTV | 可根据需求提供 | 本产品专属检测数值可按需申请 |
| Bow / Warp | 可根据需求提供 | 本产品专属检测数值可按需申请 |
| 表面粗糙度 | 可根据需求提供 | 本产品专属检测数值可按需申请 |
| 晶体质量 / 缺陷指标 | 可根据需求提供 | 本产品专属检测数值可按需申请；该指标因基底与工艺不同差异较大，不以行业平均值替代 |
| 热导率 | 可根据需求提供 | 异质外延金刚石薄层实测热导率通常低于同质外延单晶金刚石理论值，且随晶体质量与厚度变化，以实际检测数据为准 |
| 晶向 | 可根据需求提供 | 异质外延公开文献中常见(100)、(111)等晶向；具体取向以实际工艺及晶向检测结果确认 |
05 / PROCESSING CAPABILITY
工艺 / 技术能力
STEP 01
MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）金刚石异质外延生长技术
STEP 02
支持在氮化镓、蓝宝石、碳化硅等多种基底材料上进行金刚石异质外延生长的工艺研发能力
STEP 03
8英寸尺寸下的晶圆级异质外延制备能力（样品/研发阶段）
06 / APPLICATIONS
目标应用方向
本产品目前处于样品/研发阶段，以下为该技术路线对应的目标应用方向，而非已实现的商业化应用案例：
射频（RF）器件
高功率器件
半导体热管理
07 / QUALITY & VALIDATION
检测资料
如有需要，可向公司申请相关检测报告。
如需了解现阶段研发数据或后续测试进展，可通过"技术咨询"入口提出，由研发/品质团队视披露政策评估后提供。
08 / DETAIL
技术资料 / 定制方向
当前阶段：样品 / 研发阶段，可探讨基底材料选择、外延层厚度方向等定制化研发合作需求
可定制方向：基底材料选型（氮化镓/蓝宝石/碳化硅）、目标应用场景对接、联合研发合作等，具体以实际研发资源及商务合作条款确认为准