超高导热：系统等效热导率达 1200–2000 W/(m·K)，显著高于传统铜钼（CMC）、铜钨（CPC）等金属基散热材料（通常在150–300 W/(m·K)量级）。
01 / PRODUCT OVERVIEW
产品概述
单晶金刚石覆铝片以单晶金刚石为核心导热体，通过表面金属化键合工艺，在金刚石表面结合一层铝金属层，形成"核心+镀覆层"的层状结构，与"单晶金刚石覆铜片"结构原理一致，仅表面金属材质不同。
这一结构与颗粒弥散型金刚石金属复合材料（金刚石微粉颗粒弥散分布于金属基体内部、通体混合而成的各向同性均质材料，行业内常见如金刚石铜复合材料、金刚石铝复合材料等）在本质上不同：后者通体导电；单晶金刚石覆铝片则以金刚石单晶本体作为绝缘芯体，仅在表面形成导电的金属界面，是两种结构与性能均不同的技术路线。
这一结构使产品同时具备金刚石本征的超高导热与电绝缘特性，以及铝层质轻、可加工、成本相对可控的工艺特性，尤其适合对系统重量或综合成本有更高要求的散热场景。
01
MPCVD生长
02 / MATERIAL CHARACTERISTICS
核心优势
单晶金刚石覆铝片
高热扩散效率：热扩散系数 9.0–9.5 cm²/s，散热响应速度快，适应高热流密度瞬态工况。
导热与绝缘双重功能一体：金刚石芯体本征绝缘（体积电阻2.95×10¹³ Ω·cm），铝层导电、可加工，实现"高导热＋电气隔离"一体化，区别于通体导电的颗粒弥散型金刚石金属复合材料。
热膨胀系数低且稳定：RT–700℃区间热膨胀系数 3.1962×10⁻⁶/K，与半导体器件的热失配风险低。
轻量化优势：铝的密度约为铜的30%（约2.70 g/cm³ vs 铜约8.96 g/cm³），同等结构尺寸下覆铝片整体重量显著低于覆铜方案，适合车载、机载、便携式设备等对重量敏感的应用场景。
03 / TECHNICAL HIGHLIGHTS
技术参数
方形/矩形衬底（与单晶金刚石产品线保持一致）
—
形貌
7×7、8×8、10×12、11×13、13×15、15×15、25×25（与"单晶金刚石覆铜片"标准尺寸一致）
mm
标准尺寸
300–5000（即 0.3–5mm），特殊需求可定制
μm
厚度
3.51–3.52
g/cm
体密度
| 项目 | 单位 | 规范 |
|---|---|---|
| 形貌 | — | 方形/矩形衬底（与单晶金刚石产品线保持一致） |
| 标准尺寸 | mm | 7×7、8×8、10×12、11×13、13×15、15×15、25×25（与"单晶金刚石覆铜片"标准尺寸一致） |
| 厚度 | μm | 300–5000（即 0.3–5mm），特殊需求可定制 |
| 体密度 | g/cm | 3.51–3.52 |
04 / SPECIFICATIONS
产品规格
标准尺寸
7×7mm
8×8mm
10×12mm
11×13mm
13×15mm
15×15mm
25×25mm
THICKNESS
0.3–5mm（300–5000μm），特殊需求可定制
标准尺寸：方形/矩形衬底 7×7mm、8×8mm、10×12mm、11×13mm、13×15mm、15×15mm、25×25mm
厚度范围：0.3–5mm（300–5000μm），特殊需求可定制
可定制项：衬底形貌、尺寸、厚度、图形化/打孔
金属化及表面处理选项：覆铝为基础结构；具体表面处理/镀层方案可根据需求提供
06 / APPLICATIONS
应用领域
激光器
微波功率器件
高功率半导体照明
高功率IC芯片封装散热
车载、机载、便携式设备等对系统重量有明确要求的散热场景
07 / QUALITY & VALIDATION
检测与资料
如有需要，可向公司申请相关检测报告。
08 / WHERE IT FITS