高热导率：多晶金刚石散热片热导率可达1000–2200 W/(m·K)（按产品等级分档，具体数值以实际检测结果为准），显著优于传统金属基散热材料。
01 / PRODUCT OVERVIEW
产品概述
多晶金刚石散热片由化学气相沉积（CVD）法制备的多晶金刚石材料制成，通过大量金刚石晶粒生长、结合形成致密的整体结构。相较于单晶金刚石，多晶金刚石更易实现大面积、规模化制造，是目前工业界应用最广泛的金刚石散热材料形式之一。
该产品面向高热流密度电子器件，突出高热导、低热膨胀与绝缘散热特性，是下一代高性能散热解决方案的重要候选材料。
01
MPCVD生长
02 / DETAIL
多晶结构
多晶金刚石由无数微小金刚石晶粒堆叠生长而成，晶粒尺寸、取向及纯度会共同影响材料的导热性能。与单晶金刚石相比，多晶金刚石晶粒间存在晶界，热导率会因晶粒尺寸、纯度和工艺条件而产生差异，因此实际产品通常按导热性能分档提供，而非单一固定数值。
乾晟具备多晶金刚石规模化制造能力，标准规格覆盖3英寸、4英寸、6–8英寸，厚度范围0.2–2mm，可满足不同应用场景的规格需求。
03 / MATERIAL CHARACTERISTICS
核心性能
多晶金刚石散热片
低热膨胀系数：热膨胀系数低，与常见半导体/功率器件材料热失配风险小，有助于提升器件长期可靠性。
高绝缘性：多晶金刚石本征电绝缘，可在高导热的同时实现电气隔离，适用于对绝缘散热有双重需求的场景。
高硬度与高稳定性：具备高硬度、高杨氏模量、高强度及优异化学稳定性，适应严苛工况下的长期使用。
规模化制造能力：标准规格覆盖3英寸、4英寸、6–8英寸，厚度范围0.2–2mm，产品一致性良好，适合规模化热管理应用导入。
04 / TECHNICAL HIGHLIGHTS
技术参数
1000–2200（按等级分档）
W/(m·K)
热导率
约1.0
ppm/K
热膨胀系数（约300K）
约4.4
ppm/K
热膨胀系数（约1000K）
可根据需求提供
g/cm³
密度
| 项目 | 单位 | 规范 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 热导率 | W/(m·K) | 1000–2200（按等级分档） | 行业典型范围，具体数值随产品等级、晶粒与工艺条件变化，以实际检测结果为准 |
| 热膨胀系数（约300K） | ppm/K | 约1.0 | 行业参考值 |
| 热膨胀系数（约1000K） | ppm/K | 约4.4 | 行业参考值 |
| 密度 | g/cm³ | 可根据需求提供 | 本产品专属检测数值可按需申请 |
| 尺寸 | 英寸 | 3、4、6–8 | 公司标准规格 |
| 厚度 | mm | 0.2-2 | 公司已确认的标准厚度范围 |
| 电学性能 | — | 高绝缘性 | 行业参考体积电阻率量级约10¹⁵–10¹⁶ Ω·cm，具体以检测结果为准 |
| 机械性能 | — | 高硬度、高杨氏模量、高强度、化学稳定性好 | 具体数值可根据需求提供 |
| 表面粗糙度/平整度 | — | 支持高平整度、低粗糙度、低翘曲精密加工 | 具体数值可根据需求提供 |
05 / SPECIFICATIONS
产品等级/规格
标准规格
3英寸
4英寸
6–8英寸
THICKNESS
0.2–2mm
标准规格：3英寸、4英寸、6–8英寸
标准厚度：0.2–2mm
导热性能分档：产品按热导率分档提供，具体等级划分、命名及对应数值可根据需求确认
可定制项：非标尺寸、厚度、导热等级、表面处理等均可按客户需求定制
06 / APPLICATIONS
应用领域
AI/GPU芯片高热流密度散热
SiC/GaN功率模块热管理
射频功放及通信器件散热
激光器及光电子设备热管理
多晶金刚石散热片主要用于扩散热点、降低器件结温、提升系统稳定性，适配高功率密度、高集成度的电子系统散热需求。
07 / QUALITY & VALIDATION
检测与资料
多晶金刚石产品已委托第三方专业检测机构（汉唐检测）进行相关测试；具体检测项目、报告及参数可通过"技术咨询"入口申请获取。
08 / WHERE IT FITS